바이오나노학부 나노 工學(공학) 실험 보고서 photoresist
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작성일 24-07-16 03:33
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그러나 이번 Photoresist인 AZ5214E는 점도가 그렇게 크지 않았기 때문에 wafer에 spin coating이 잘 되었다.
2. 實驗 理論(이론)
-Photoresist는 빛을 조사하면 화학 change(변화)를 일으키는 수지를 말하며, 자외선 영역에서 가시광선 영역 파장…(skip)3. Materials and Method.
① Wafer를 acetone과 IPA로 깨끗하게 씻어내고 Blower로 건조시킨다. 그리고 Positive는 UV를 쬐어준 후 바로 Develop을 진행을 하고, Negative는 UV를 쬐어준 후 다시 hot plate에서 Reversal bake를 진행한다. 이 實驗에 앞서 진행했던 Photoresist實驗에서는 SU 8-100을 사용했었는데, 이는 점도가 너무 커서 wafer에 spin coating이 잘 되지 않았었다.
⑧ 상이 선명해지면 alpha step을 이용하여 두께를 측정(measurement)한다. 이번 實驗에서 알아보고자 한 것은 negative와 positive Photoresist의 image차이이다.
⑦ 상이 선명해질 때까지 Develop을 진행한다.
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나노 Engineering實驗 레포트(report)
Image Reversal using AZ5214E positive photoresist
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1. Introduction
-Photoresist는 전자소자의 회로와 화상 형성 등에 사용되고 있으며, IC, LSI, 초LSI의 미세하고 복잡한 회로 패턴을 제작하는데 있어서 필수 불가결한 재료의 하나이다. Photoresist는 빛을 받으면 화학change(변화)를 일으키는 재료로 대표적으로 SU 8-50, AZ5214 등이 있다 이번 實驗의 Photoresist는 AZ5214E이다. 하나는 Positive photoresist, 다른 하나는 Negative photoresist이다.③ 1μm의 두께로 AZ5214E를 spin coating 한다.
② 200℃의 hot plate에서 10분 동안 건조시킨 후 Wafer를 식힌다.
④ Hot plate에서 110℃에서 50초 동안 Bake 한다. Spin speed는 5000rpm이고 Time은 40sec이다.
⑤ 두 Wafer 모두 UV를 비춰준다. develop하기 전에 bake의 정도에 따라 negative image로 나타나는지, positive image로 나타나는지 알아보는 것이 이번 實驗의 목적이다.
⑥ bake가 끝나면 Negative photoresist를 Develop을 진행한다.
4. Result.
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설명
다. 식힌 후 절반으로 쪼개 2개로 나눈다.
